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科晶真空科技（苏州）有限公司 
| 联系人：翟瑞涛 先生 (产品经理) |
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| 坡莫合金1J85真空退火炉 |
真空炉VRSF1200-422/644型技术参数
一、 设备基本原理及主要用途
1. 设备用途
适用于电子陶瓷与高温结构陶瓷的烧结、玻璃的精密退火与微晶化、晶体的精密退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理，应用于电子元器件、新型材料及粉体材料的真空气氛处理，材料在惰性气氛环境下进行烧结。本设备具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高等特点。综合性能指标较高。根据不同的使用气氛及使用温度，使用不同的加热元件，型号齐全，对需在惰性气体环境下烧结的材料，本设备是一个非常好的选择，同时也可满足于不同工艺实验而特殊制造。
2. 设备简介 
该真空电阻炉以优质HRE合金丝为加热元件，采用双层壳体结构30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用优质氧化铝材料，双层炉壳间配有风冷系统。炉体采用整体密封，盖板和炉门密封采用高温硅胶板、炉门口安装有真空系统、水冷系统等，气体经过流量计后进入炉体，可以通氩气、氮气等惰性气体，并能抽真空。
二、 主要技术参数
1.极限温度：1200℃
2.工作温度：1100℃
3. 加热功率：   6KW/25KW
4.加热形式：   优质HRE电阻丝，温场均匀，能耗低
5. 炉膛尺寸：    400mm*200mm*200mm
600mm*400mm*400mm
6. 保温材料：    高纯氧化铝微晶体纤维，保温性能好
7. 装料方式：    前侧装料
8. 极限真空度：  6.7x10^(-4) Pa
9. 控制精度：    ±1 ℃
10. 热电偶型号：N型
11. 温控控制：    30段程序控温系统，PID控制
12. 内外层炉壳：  SECC钢板防锈处理，并经粉体烤漆处理
13. 设备表面温度：≤60℃
14. 数据导出系统：可通过USB将升降温工艺导出，曲线图显示
三、 设备结构特征
此款真空电阻炉主要由炉体、加热保温系统、真空系统、气氛控制系统、水冷系统、电器控制系统等组成。
 1. 炉体
炉体采用双层壳体结构，炉内壳体采用整体密封，炉门密封采用高温硅胶板密封、炉口设有水冷系统以保护炉口密封圈，炉壳配有水冷系统，保证表面温度≤60 ℃。
2. 加热保温系统
3.
加热元件采 |
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